宽窄都是路

蔡志忠   

   无论处于任何时间、法象里面，生命都是独一无二的。这颗葡萄和昨天吃的那颗葡萄并不一样，这杯酸梅汤和我十五岁去台北在中华路喝的那一杯也有所不同，因此不必刻意用过去的经验与眼前做比较。
   一般人都喜欢拿过去和现在相比较，连吃一盘蛋炒饭也会认为昨天那一家炒的好吃些。禅宗注重“异”，人们都用过去的经验在生活，他们最无法开悟的一点就是“同”。不能开悟，许多痛苦就此产生。
   若能了解自己的每一分每一秒都是不同的，不需要拿任何一秒钟做标准，你就会生活得很好。无论你是独自处于非洲大沙漠的烈日之下，或者和朋友一起待在舒适的冷气房里，都没有什么差别，每一个点都是生命的一部分，加起来才等于你整个的生命。
    有一年我获得了“台湾十大杰出青年奖”，香港《东方日报》的总编希望我写一篇文章。
“写什么呢？”我问。
“写崎岖的道路。”
“那是什么？”
“你的成功史。写你如何达到今日的成功之境。”
“我不能写。因为我的人生中没有崎岖的道路，对我而言，无论什么情况都是很好的。”
   如果我走在崎岖的小径上，我就用崎岖小径的心去欣赏它；如果走在林荫大道上，我就从林荫大道的角度去品尝。我不认为林荫大道就优于崎岖小径，一旦真正了解生命的意义，事物就没有好坏之别。
   不论剩下多少水，我只想“我还有水”，而不去在意水的多少。我画过一幅漫画：黄河的源头是生，出海口是死，它整个生命的过程当然有时细水长流，有时波涛澎湃；有时顺畅，有时受阻；有时宽，有时窄。我在宽时品尝宽，窄时品尝尝窄；在逆时面对逆，在顺时享受顺。我不愿自己的生命从头到尾一样宽畅、平凡。

从历史来看，三星将研发重点集中在了单层单元(SLC)上。SLC架构中每个闪存单元只能存储1个比特的信息。而东芝在转向先进工艺技术方面同样积极，不过其竞争优势在于多层单元(NAND闪存方面的设计经验和能力。MLC闪存在每个存储单元存储2个比特的信息，使得东芝可在给定面积的硅片上存储更多的比特信息，并在存储器尺寸既定的情况下降低生产成本。因此，尽管东芝在工艺技术上可能落后于三星，但在裸片密度上仍是领跑者。

东芝的MLC闪存已经历经数代，其中包括新近发布的采用70nm工艺的8Gb闪存。2005年，东芝曾采用90nm技术与三星的73nm技术展开肉搏。东芝90nm MLC闪存的比特密度为29Mb/mm²，远远高于三星73nm闪存的25.8Mb/mm²的比特密度。

在存储密度固定时，东芝甚至拥有比三星更小的裸片尺寸。例如，东芝90nm工艺生产的4Gb NAND闪存的 裸片尺寸为138mmsup>2，与之相比，三星73nm工艺生产的4Gb NAND闪存尺寸则为156mmsup>2。这使得东芝在成本方面更具竞争力。在用于文件存储方面，NAND闪存不可避免地面临价格战，我们也常常 听到，只有价格领导者才会赢得iPod设计中标。

虽然MLC在某些方面获得相当的认可，但如今对闪存芯片的狂热需求模糊了业界的视线。存储卡制造商需要价格低廉的芯片，但他们也需要稳定 的供货。正是基于这个原因，据报道，去年Kingston已就购买SLC芯片作为第二货源与三星进行了商谈。他们商讨该协议时，全然不顾MLC方案的成本 比SLC要低30%。

长期以来，三星都在鼓吹SLC而非MLC型NAND闪存， 不过2004年和2005年该公司提交给国际固态电路大会(ISSCC)上提交的MLC技术论文，标志着该公司的观点发生了变化。虽然在三星的网站上仍旧 没有任何有关MLC闪存的营销信息，但该公司的确已生产出了4Gb MLC NAND闪存芯片。虽然我们已对该芯片的样品进行了分析，但要在市场中找到其样品仍旧非常困难。其裸片尺寸是156mm²，同东芝采用90nm工艺的MLC型4Gb NAND闪存相比，还是大了18mm²，因此要能与东芝相匹敌，三星在其下一代NAND MLC技术上还需要改进。

除了三星，Hynix等其他存储器制造商也在向MLC闪存迈进。虽然东芝凭借多年的技术积累而在MLC技术上占据优势，但英特尔与美光科技的合资企业IM Flash也有能力结合英特尔MLC技术与美光的NAND闪存，从而在MLC型NAND闪存领域迅猛发展。

MLC闪存技术并非没有不足，实际上，在采用先进工艺生产MLC闪存方面困难重重。随着闪存技术的演进，在浮动栅(floating gate)中存储的电荷总量减少了，使得检测存储的信息变得更加困难，尤其是对MLC芯片而言，它需要识别四个电压值，而非两个。尽管如此，据报道，东芝 在70nm工艺中能够保证采用与90nm技术相同的代码纠错方案。这显示该公司并没有放慢MLC技术缩放的步伐，最少是就现在而言。

此外，与SLC闪存相比，MLC闪存在可靠性方面存在不足。虽然对于消费者而言，可靠性不是他们关注的核心问题，但在其它消费市场却显然是一个弊端。　　

三星正准备推出采用65nm工艺的4Gb SLC NAND闪存，其尺寸比采用73nm工艺的器件稍为紧凑。由此引发的问题是：在工艺缩放方面是否已经无计可施了？　　　

如果实际情况真的如此，那么情况显得对东芝更为有利，因为目前它已经生产出70nm工艺的MLC闪存。作为权宜之计，三星转向65nm工艺 的芯片或许能够立马同东芝的90nm MLC竞争。但是东芝的70nm工艺8Gb MLC技术已取得重大成就，实现了56.5Mb/mm²的比特密度，比三星65nm工艺31.3Mb/mm²的额定比特密度要高出80%。一些并非出自东芝公司的报告暗示，该公司将会跨过65nm工艺，直接转到50-60nm线宽的16Gb闪存。当然，在成功实现低于65nm线宽的工艺，仍有一些技术障碍有待克服。

图：东芝在90nm工艺中采用自校准单元架构

闪存器件的工艺缩放并非易事，过去业界曾多次出现过闪存走向终结的预言。然而国际半导体技术路线图(ITRS)显示，在32nm工艺节点出现之前，在所有赌注似乎仍然都压在闪存而非任何新型替换品上。

有必要使在每个单元中所存储的比特数翻番，使得浮动栅技术继续前进，而这很可能推动闪存首个替代物面市，诸如相变存储器(PCM)。但是目 前闪存供应商首先必须克服现有的缩放挑战，其中包括这样一些关键领域：单元校准(cell alignment)、隧道氧化层、多晶硅层间介电质(interpoly dielectirc)、相邻单元耦合和高压晶体管设计。

缩放挑战

随着芯片尺寸缩小，改进图层之间的校准颇受关注。更小的芯片需要更低的操作电压，反过来也推动了更薄隧道电介质的需求，以将电荷传输至浮动栅或传输出浮动栅，但问题是，电介层较薄的话，可靠性就较低。

在先进的工艺尺寸中，一个浮动栅的活动区域对存储单元晶体管的影响较小，但从控制到浮动栅的耦合比例需要保持恒定。所以，需要更薄的多晶硅层间介电质(IPD)。

在有两种介电质情况下，介电常数更高(higher-k)的材料能减少有效电荷厚度，同时具有更大的物理厚度，并能维护更高的可靠性。然而，采用新型材料会给自身带来挑战，存储单元封装得更加紧密，会增加风险，导致一个浮动栅上的电荷会影响相邻存储单元的操作。

最后，闪存的操作依赖于较高电压来写入或擦除存储单元。需要在给定硅片面积条件且无损存储单元效率的条件下，设计和应用能够转换电压的控制晶体管。

东芝的新型芯片集成了很多有趣的特性。当然，基本的存储单元结构已经缩降至90nm以下。东芝在90nm工艺上引入了完全自校准存储单元， 并且继续用于70nm工艺。隧道和多晶硅层间介电质同样降低了。为了减少干扰，对浮动栅的高度也作了优化。MLC技术在这方面需要更多关注，因为要从存储 单元中读出4个状态，所以感应(sensing)边界更小。

在存储列阵方面，东芝转而采用新型的沟槽蚀刻工艺处理来实现浅槽隔离(STI)。70nm工艺中更小的间距要求东芝使用两个沟槽深度。存 储阵列深度对隔离性能的要求较低，以便闪存单元能够排列得更加密集。控制晶体管——特别是那些用于控制写入/删除电压的晶体管，需要更好的电压隔离特性。 所以，他们要更深一些。

沟槽填充方式也发生了改变；现在使用一种新型沉积材料进行两步处理。在90nm工艺中，采用钨(tungsten)触点来代替多晶硅。也许最显著的一个创新是采用了一种新颖的电容器结构。

所有这些改进加在一起，相当于一个大小仅为0.020μm²的物理单元，换言之，保存1个比特信息仅需0.010μm²。相比较而言，三星的73nm技术保存1个比特信息则需要0.021μm²，而三星的65nm 4Gb器件保存1比特信息预计要0.017μm²。　　

体系架构上的改进

东芝的70nm NAND闪存还包括一些架构上的改变，包括焊盘布局和排列结构的调整，旨在减小裸片面积。东芝的焊盘设计是单面的，也就是说所有的焊盘都位于芯片的一边。 这与其它大多数NAND闪存大相径庭，后者上下两面都分布着焊盘。

焊盘全部移到裸片的一边就不再需要两面都设计焊盘条，芯片尺寸随之减小。为了获得单面布局的最大好处，对阵列结构作一些变动，从而能有效地访问芯片的上部或在芯片的边上远离焊盘的存储单元，并为其供电。为了更大程度地减小芯片尺寸，东芝还将改变了其冗余管理方案。

在单个存储地址存储2个比特的信息，要求感应电路能够分辨出四个电压等级的差别。自然地，要读取存储单元信息的感应放大器需要进行优化，从而为与单层感应相比所存在的较低的噪声裕量提供补偿。接下来的事情，就是为四个不同等级的电荷编程。

东芝选择了步步为营的方法，其中包括运行一系列“即编程即验证”的循环，直到获得期望的程序状态。 我们的分析检查了用来写入四个状态的时序和电压。

实际上，该方法是东芝的闪存合作伙伴Sandisk所开发出来的，并授权东芝采用其专利编程方法。东芝与Sandisk在MLC芯片的研发和生产上已经合作多年。毫不奇怪，两家公司都积极申请与MLC技术相关的方法、电路和结构方面的专利。

然而，我们却惊奇地发现，三星在MLC领域的专利申请也相当积极。2002年三星和Sandisk之间达成了一项交叉授权协议，双方在2009年之前不会提起任何专利争端。不过，如果三星被卷入MLC价格战，问题也许会再次提上日程。

也许仅是巧合，ITRS计划转向每单元4比特存储的时间也是2009年。既然有关MLC知识产权的争端还没有最后掀起，那么现在还很难说谁更强。

尽管有这些比较，三星始终还是NAND闪存市场的佼佼者，并且极具竞争力。虽然东芝依靠在MLC技术上的积累，东芝获得了些许优势，但三星已被证明是一个斗志顽强、勇往直前的对手。让我们拭目以待：在未来几年中，为了追赶MLC技术，三星会不懈努力。

三星和东芝还承受着后来者的压力，如Hynix公司，后者于2004年2月开始发售其首批NAND产品，就非常成功地从DRAM转向到闪 存。2005年Hynix利润增加了525%，并且与两个领军公司争夺市场份额。同时，英特尔与美光的合资又诞生了一个强有力的市场竞争者，而英飞凌也开 始显示出令人鼓舞的利润增长。

这些公司使得NAND市场的竞争更加激烈；但是至少在目前，三星和东芝仍然是市场和技术的领先者。

Don Scansen,Semiconductor Insights公司

转自：http://www.upsdn.net/html/2006-11/821.html

非挥发性内存目前已广泛应用于存储卡和数码录音机等小型记录介质中。其特点是即便关闭电源，保存的数据也不会丢失。目前使用最广泛的非挥发性内存是闪存。不过，闪存的缺点是写入速度慢，可擦写次数有限。为了克服这些缺点，通过对保存数据的元件进行改进，目前已开发出3种新的非挥发性内存。分别是记录元件采用强介电体的FeRAM（铁电体RAM）、采用磁体元件的MRAM（磁体RAM）和使用相变材料的OUM（相变化内存）。

    闪存目前已经作为可改写数据的非挥发性内存广泛应用于各种产品中。比如，我们平时用的手机。手机中的地址薄能够修改已输入的地址和电话号码。而且关闭电源后也能够继续保存。

    闪存最初是从关闭电源后数据也不会丢失的只读内存ROM派生出来的。通电后可改写ROM的是EEPROM（电可擦可编程序只读存储器）。EEPROM能够进行位写入和删除。不过由于是按位操作，因此写入慢，耗电量高。因此，人们就想出了一种不是按位而是以块为单位进行写入和删除的内存。这就是闪存。其名字来自于一次性进行删除的特点。

    闪存与EEPROM相比，写入快、耗电量低。但与挥发性（关闭电源后数据丢失）内存DRAM和SRAM相比，写入速度慢、耗电量高。这个问题是由闪存结构产生的。

    

新一代非挥发性内存 可弥补现有主流非挥发性内存――闪存缺点的新一代非挥发性内存，大体上有3种产品正在研究开发，截止到2003年5月，只有FeRAM已开始量产。

    因此，业界正在开发比闪存速度更快、耗电量更低的新一代非挥发性内存。主要有3种，保存数据的元件材料均非半导体，与众不同。分别是结构类似DRAM、采用铁电体保留数据的FeRAM、采用硬盘磁头元件按照磁盘结构记录数据的MRAM，和采用与记录型光盘相同的相变材料的OUM。

绝缘体随着记录次数而老化 

闪存结构与工作原理 贮存电荷的浮动栅包裹了一层硅氧化膜绝缘体。因此进入浮动栅的电子即便关闭电源也不会泄漏。不过，由于氧化膜的老化，可擦写次数有限制，约为100万次。另外，写入时需要9V左右的高电压。

写入速度慢、可擦写次数有限，闪存的上述缺点是由其结构造成的。

    闪存采用的结构是：在源极和漏极之间电流单向传导的半导体上形成贮存电子的浮动棚。浮动栅包裹着一层硅氧化膜绝缘体。它的上面是在源极和漏极之间控制传导电流的控制栅。数据是0或1取决于在硅底板上形成的浮动栅中是否有电子。有电子为0，无电子为1。

    闪存就如同其名字一样，写入前删除数据进行初始化。具体说就是从所有浮动栅中导出电子。即将有所数据归“1”。

    写入时只有数据为0时才进行写入，数据为1时则什么也不做。写入0时，向栅电极和漏极施加高电压，增加在源极和漏极之间传导的电子能量。这样一来，电子就会突破氧化膜绝缘体，进入浮动栅。

    读取数据时，向栅电极施加一定的电压，电流大为1，电流小则定为0。浮动栅没有电子的状态（数据为1）下，在栅电极施加电压的状态时向漏极施加电压，源极和漏极之间由于大量电子的移动，就会产生电流。而在浮动栅有电子的状态（数据为0）下，沟道中传导的电子就会减少。因为施加在栅电极的电压被浮动栅电子吸收后，很难对沟道产生影响。

    如上所述，由于闪存要进行“突破氧化膜”这一剧烈动作，因此速度和可擦写次数均存在一定的限制。随着反复的写入，氧化膜就会老化。闪存可擦写次数一般被限制在100万次左右。

沿用DRAM结构的FeRAM

为了突破闪存面临的极限，新一代非挥发性内存加大了数据保持元件的研发力度。其中，已经量产且领先一步的就是FeRAM。

    FeRAM记忆元件使用的是铁电体。铁电体的每一个结晶在自然状态下分为正极和负极。具有加电后其极性会统一成一个方向的性质。其极向即使关闭电源后状态也不会改变，因此能够保持数据。由此来实现非挥发性。

    不过，FeRAM有一个很大的缺点，即读取次数有限制。目前的读取次数约为10的12次方。“已经有人指出读取次数有限的内存不能使用”（NEC电子尖端工艺业务部FeRAM开发项目经理丰岛秀雄）。

    FeRAM结构非常类似于作为电脑内存而使用的DRAM（见图3，击点放大）。因此擦写速度快，约为100ns。不同于DRAM的是记录数据的部分。DRAM在晶体管中加入了贮存电荷的电容器。而FeRAM则把电容器变成了铁电体。也可以说是使DRAM具备了非挥发性。

    写入方法与DRAM稍有不同。DRAM利用电容器中有无电荷记录数据，因此使用名为位线（Bit Line）的布线单向加压。而FeRAM由于必须双向加压，因此除位线以外，还添加了名为板线的线路。写入“1”时，由板线向位线加压。写入“0”时则反过来由位线向板线加压（见图4，点击放大）。

    读取方法也不同于DRAM。DRAM根据电容器中有无电荷判断“1”或“0”。而FeRAM则不能直接读出电容器的状态。因此读取时通过强行写入“1”，来判断“0”还是“1”。数据为1时由于状态不变，因此电荷移动少。而数据为0时由于状态发生反转，因此会产生大的电荷移动。利用这种电荷差判断1和0。

    如上所述，FeRAM在读取时也进行写入动作。但是在铁电体中反复写入会使之加速老化。也就是说，不仅是写入时，读取时FeRAM也会产生老化。

妨碍可靠性的材料性质 

FeRAM使用的铁电体材料大体分为两类，分别是美国瑞创国际（Ramtron International）提供授权的PZT（锆钛酸铅）和美国思美（Symetrix）的SBT（钛酸钡锶）。PZT可在低温下生产，产生的电荷量大，而SBT则可实现低耗电。目前很多制造商都在使用PZT进行开发。已开始量产FeRAM的富士通采用了PZT。

    PZT的结晶结构由于原子位置有偏差，因此稳定的点有两个。数据为0和1两种状态下，结晶中原子位置不同。具体来说两个状态是指位于中间的钛原子（或锆原子）是在上面还是在下面。

    可靠性对内存来说是必不可少的。但是FeRAM存在两个源自于铁电体性质的问题。即反复擦写时的耐受性和数据保持性问题。

    反复写入的耐受性问题有两个。第一个是反复记录数次后，由于材料产生疲劳，就将无法清楚地区别和记录0和1。第二个是“动态压印（Dynamic Imprint）”，就是指反复单向加压而写入相同数据时，因此产生写入惯性，而无法再写入其他数据。

    数据保持性能也有两个问题。一个是随着时间的推移，因失去正、负极性，而无法读取。业界将其称为“去极”。第二个是“动态压印”，就是指如果长期保持0或1某一种数据，那么数据就会烧录上去，从而无法进行擦写。这些问题产生的机理“尚未查明”（NEC电子的丰岛）。

    为了克服铁电体在读取时也会老化的缺点，通过在读取方法上下功夫，目前已经有人提出了采用无损读取方法。通过在板线上施加微电压，不需反转极性来读取数据。此时，由于可读取电流减小了，因此就存在不易判断数据的问题。

可无限次擦写的MRAM

还有一种独特的采用磁记录方式的非挥发性内存，不过至今没有像FeRAM那样进行量产。这就是MRAM。MRAM使用TMR（隧道型磁电阻）磁性体元件。利用电阻随磁化方向而变化的原理记录数据。耗电量低，且可高速写入和读取。擦写次数无限制。顺便提一下，TMR元件还有望成为新一代硬盘磁头。

    MRAM的问题在于TMR元件加工难度大。磁性体不同于半导体，加工中不能使用化学反应，必须进行物理加工，因此形状不好控制。TMR元件采用的结构是由2个磁性体层夹着铝氧化膜绝缘体。电流就像穿越这三层一样进行传导。因此，一旦元件的形状和层的厚度出现偏差，就会产生失误。另外，生产过程中在层与层之间还会产生短路。

    MRAM在写入时会改变TMR元件的电阻，因此就会改变夹持绝缘体的磁性体层的磁化方向。下层（栓层：Pinned Layer）的磁化方向是固定的。改变磁化方向的是上层的自由层（Free Layer）。写入“0”时产生与下层同向的磁场。上层磁化方向与下层平行，电阻就会减小。写入“1”时正好相反，产生与下层反向平行的磁场，从而使上下两层的磁化方向形成反平行。此时电阻则增大。

    读取时，则在TMR元件中传导电流。如果是“0”，由于电阻小，电流就大；如果是“1”，由于电阻大，电流就小。利用这种区别判断“0”或“1”。

    MRAM之所以速度快是因为磁性体磁化方向的反转速度快。另外，由于改变磁化方向的次数没有限制，因此写入次数就为无限次。

MRAM：不需晶体管即可生产

MRAM的单元结构以TMR元件上连接晶体管的选择晶体管型为主流。由于可用晶体管对每个单元进行控制，因此耗电量低，且速度快。另外，外部电路制作简单。不过，这种结构的缺点是因此难以减小单元尺寸，因此不易实现大容量。

    虽然几乎所有的内存都使用晶体管进行切换，不过MRAM还开发了不使用晶体管即可驱动的结构，称之为交叉点型。将电极下上垂直相交进行排列，在交叉点配置TMR元件，从而就能形成简单结构。

    由于交叉点型MRAM能够减小元件体积、进行多层层叠，因此易于实现大容量。不过其缺点是，即便只是为了读取选择单元而传导电流时，也会在周围产生环绕电流，因此外部电路复杂，读取时间长。

    由于MRAM有上述2种结构，因此很有可能“根据不同的用途而分别作为大容量产品和高速产品来使用”（NEC硅系统研究所兼基础研究所研究部长田原修一）。

    今后的课题是如何降低写入电流。正在开发此类内存的东芝“目前已经将较高的写入电流降低到了3mA，即1/3左右。将来力争达到1mA”（东芝SoC研究开发中心非挥发性内存元件技术开发部顾问?c田博明）。不过，如果缩小电流，0和1的电阻值变化率即MR比就会随之减小，从而就会提高读取难度。为了减小工作电流，必须在如何提高MR比上下功夫。目前有人正在研究层叠TMR元件（双层通道接合）。

    另外的课题包括没有实现微加工工艺，以及切换时产生的磁场及读取信号的不稳定性较大等。

通过加热来记录数据的OUM

OUM是写入时通过加热进行数据记录的非挥发性内存。由美国Ovonyx开发。采用的是可用热改进结晶状态的相变化材料。这种材料目前已经应用于刻录光盘。两者不同的是记录光盘利用的是相变化膜反射率的变化，而OUM则利用的是电阻的变化。

    OUM的擦写次数为10的12次方，其优点是易于减小单元尺寸，电阻变化率大。缺点是写入时间长。

    相变化材料根据不同的加热方式可产生结晶和非结晶两种状态。由于两种状态在有电流时电阻不同，因此能够记录“0”和“1”。只要不加热，两种状态就不会变化，因此就可实现非挥发性。

    正在进行OUM研究的英特尔在相变膜中使用的是硫族化物结晶。先将电阻加热器与硫族化物结晶相接触，然后通过接通电流就能改变接触部分的结晶状态。写入0时形成结晶状态。为了形成结晶状态，就要使温度在300～400度下保持20～50ns。写入1时，形成非结晶状态。此时，先加热至600度以上的高温，然后关闭电流后冷却1～2秒ns的时间。

    读取过程利用的是接通电流时电阻会因结晶状态的不同而变化的原理。在相变膜中接通电流时，在结晶状态下由于电阻小，电流就大；而非结晶状态下由于电阻大，就只能有少量电流通过。在英特尔目前采用的0.18μm工艺条件下，电阻在结晶和非结晶状态下分别为10kΩ以下和100kΩ以上。

转自：http://www.dostor.com/r/b/2003-10-15/000376619.shtml

　　Spansion是AMD与富士通的闪存业务在2003年重组合并后成立的企业，在成立伊始，Spansion一度占据NOR闪存市场的领导地位，后来英特尔以半导体制造技术及成本方面的优势成功反超，Spansion在NOR领域的市场份额屈居第二。尽管如此，Spansion强大的技术实力为业界所公认，在NOR领域，Spansion以MirrorBit技术实现NOR产品的高密度化，后来Spansion又在该技术的基础上推出ORNAND新概念闪存，它集NAND的高密度、高写入速度与NOR高读取速度、高可靠性等优点于一身，堪称NAND的有力竞争对手。但由于Spansion的资源不够充足，一直未能将ORNAND推向市场，直到2005年9月底该公司才宣布将在今年中期以90纳米工艺来生产ORNAND闪存。这样在三星的OneNAND之后，市场上将出现第二种融合NAND、NOR特点的通用型闪存产品，这对于闪存市场的未来发展无疑有着深远的影响。

　　决定存储密度的三种实现技术

　　由于ORNAND是以第二代MirrorBit技术为基础，因此我们必须预先来介绍MirrorBit。第一代MirrorBit技术由AMD公司在2001年提出，目的是克服NOR闪存密度低的缺陷，开发出较大容量的产品。而凭借这项技术，AMD逐渐在大容量NOR闪存领域获得领先优势。2003年，AMD发布更成熟的第二代MirrorBit，并同时推出基于该技术的512Mb NOR闪存，创下NOR闪存容量的最高纪录。同年AMD与富士通闪存部门重组成立了Spansion，MirrorBit便归于新公司的旗下。2004年，Spansion将第二代MirrorBit技术投入量产，一举奠定了自己在高容量NOR产品中的绝对优势。直到今天，Spansion都是唯一能够大量供应512Mb NOR产品的闪存厂商。与之相比，英特尔虽然依靠低价获得市场领先，但它目前才开始进入512Mb NOR的量产阶段，技术开发上落后于Spansion。

　　我们在前面详细介绍了闪存的基本原理：每个基本存储单元(CELL)都有贮存电子的浮动栅，对应二进制数据的存储。NOR和NAND型闪存有SLC(Single-Level-Cell，单极单元)和MLC(Multi-Level-Cell，多级单元)两种技术方案，其中SLC也是最传统的方式：一个存储单元对应一个比特位数据，其优点是技术成熟可靠、高性能和较长的使用寿命，为了弥补容量方面的不足，闪存厂商往往采用多核心封装或芯片堆叠技术，它也是当前最主要的NAND/NOR闪存技术方案。而MLC技术由英特尔在1997年9月开发成功，其目的是让一个浮动栅(Floating Gate)能够表示两个比特位的信息。为了达成这一目的，英特尔采取一种类似于Rambus QRSL的电荷控制技术，通过精确控制浮动栅上的电荷数量，使其呈现出4种不同的存储状态，每种状态代表两个二进制数值(00、01、10到11)，通过这种虚拟的方式实现存储密度的翻倍。在英特尔之后，东芝公司也开发出类似的MLC方案，并将其用于NAND闪存的生产。然而，MLC存在一些非常严重的先天缺陷。MLC必须以成对的两个比特位作为基本的操作单位，导致其存在功耗较高，使用寿命只有SLC方案的十分之一(MLC闪存的使用寿命只有最多10000次写入)。与之相比，SLC方案虽然存储密度较低，但具有高性能、低能耗和长使用寿命的优势，且可通过技术手段来提升SLC闪存的存储容量。也正是由于这些原因，MLC始终都没有被广泛采用，无论NAND闪存还是NOR闪存，都是以SLC方案为绝对主流。

　　Spansion MirrorBit技术的功能与英特尔的MLC方案非常类似，它也是通过让一个基本存储单元中存储两个比特位，实现容量增倍的目的。但MLC只是利用一个浮动栅，通过精确的电荷控制来实现双比特位的表达，而MirrorBit技术则是在一个浮动栅的两侧分别构建彼此独立的信息位，两者通过非导体硅间隔(MLC为导体硅材料)。这样每个信息位在读取或编程操作时都不会影响到另一侧的信息位，由此在一个存储单元内实现两个比特位信息的存储，相当于记录密度提高了一倍，而所付出的代价就是需要少许增加晶体管内的逻辑单元。在操作模式方面，MirrorBit也明显优于MLC，后者要求以一个浮动栅内的两位比特作为基本操作单位，也就是无论读取、写入、擦除都必须同时涉及这两个比特位，不仅做法僵化且带来高功耗、低性能和低可靠性的弊端；MirrorBit仍然以单个比特作为基本操作单元，浮动栅两侧的信息位不会相互干扰，效果等同于拥有两个浮动栅，因此MirrorBit闪存可具有与SLC相同的低功耗、高性能和高可靠性优点，又能够将存储密度提高一倍，堪称一项完美的解决方案。再者，MirrorBit技术拥有更低的制造成本，其关键制造步骤要比传统的NOR减少40%，总体制造步骤则可以减少10%，这在很大程度上降低了芯片的制造成本。遗憾的是，由于Spansion的半导体制造实力远逊于英特尔，产品制造成本较高，MirrorBit在这方面的优势也无从发挥，这也是在过去两年间英特尔在市场上击败Spansion的主要缘由。

　　早在2004年10月份，Spansion就向外界透露开发第三代MirrorBit技术的口风，它将在第二代MirrorBit的基础上结合MLC技术，这样便可以在一个单元内存储4个比特，再度实现存储密度的大跃进。但此项技术仍然将面临MLC功耗较高，使用寿命不长的弊病，也许正是因为这些问题让Spansion放缓了开发步伐，该公司在2005年的主要革新就是110纳米技术升级为90纳米，并与第二代MirrorBit相结合——1Gb NOR闪存便是上述技术成果的结晶；至于第三代MirrorBit的推出日期Spansion尚未披露。

　　图7 MLC通过4种电平值来实现在一个浮动栅中存储两位信息的目的

　　以MirrorBit为基础的ORNAND闪存

　　2005年9月，Spansion公司在美国奥斯汀宣布开始制造基于MirrorBit技术的ORNAND闪存，正式进入通用闪存市场。由于Spansion过去只有NOR业务，ORNAND闪存的出现将有力拓展Spansion的市场空间，并可从目前高速增长的NAND市场中受益，这一点与三星OneNAND战略如出一辙。

　　与三星OneNAND类似，ORNAND也是NOR与NAND的结合体，具有NOR与NAND一些共同的优势。在基础架构上，Spansion ORNAND秉承第二代MirrorBit技术，通过双信息位的方式实现媲美NAND的高存储密度。而在性能方面，ORNAND表现十分出色，其读取性能与NOR相当，写入速度则比NAND快得多。尤其是突发脉冲(Burst)模式下，写入速度可比现有的NAND产品快出4倍，堪称是目前速度最快的闪存产品。此外，ORNAND具有MirrorBit技术的其他所有优点，如高可靠性、低成本、低功耗等等，相对于NAND闪存的技术优势极其明显。第三，ORNAND拥有NOR和NAND两种接口，OEM厂商可以根据自身需求，采用NOR或者NAND接口将它与系统进行整合。不过，ORNAND与三星OneNAND一样都无法直接支持XIP代码本地执行功能，而是必须通过另外的NOR或者将ORNAND的指令代码下载到DRAM中方可运行。由于ORNAND的读取速度媲美NOR，将指令下载到DRAM运行的方式并不需要耗费太多时间，系统依然可保持快速的启动和较快的响应，因此ORNAND就具有与三星OneNAND类似的功能：既可以存储嵌入式程序的代码，也可以作为数据存储之用。但与OneNAND不同的是，ORNAND并不是作为NOR的替代技术，Spansion只是希望将它与NAND产品竞争，进入到NOR闪存无法踏足的数据存储领域，例如数码相机/摄像机、MP3播放器、数字电视等等。但Spansion表示说将把重点放在嵌入式应用，而暂不考虑进入闪存卡、移动存储器等领域，估计这与该公司无法提供足够的产能有关。

　　在宣布ORNAND闪存进入制造阶段的当日，Spansion公司还演示了一个利用Spansion 1Gb ORNAND闪存以及TI OMAP处理器所组成的手机系统。该套系统仍然采用NOR作为指令代码的存储器件，ORNAND则用于存放用户的图像、音频、视频等多媒体数据。在演示中这套系统可以每秒15帧的速度流畅地播放MPEG4视频，并可支持数码相片的快速存取，整体表现明显优于当前高端娱乐手机普遍采用的NOR+NAND+DRAM方案。Spansion也希望ORNAND能够在这些场合取代NAND闪存，以进一步扩大自己在闪存市场的占有率。换句话说，ORNAND的竞争对象只是NAND，它与NOR更多是一种协作的关系(虽然在技术上ORNAND可以取代NOR)。Spansion现在已经是NOR领域数一数二的重量级大厂，ORNAND采用这样的设计定位就不难理解了。

　　ORNAND能否取得预期的成功很大程度上取决于成本状况。对此Spansion表示说ORNAND的制造成本与同容量的NAND持平甚至略低，该公司先期推出的1Gb ORNAND闪存的价格也与其他厂商的1Gb NAND产品完全相同。由于ORNAND拥有绝对的性能优势，对OEM厂商颇容易产生吸引力。Spansion计划在明年推出2Gb容量的ORNAND闪存以满足市场需求，但外界更关心Spansion能否提供足够多的产能。由于业界对Flash闪存的需求极其旺盛，尽管各半导体厂商都开足马力生产还是无法完全满足需求，对OEM厂商来说，能否按时、足额提供产品往往比产品的性能本身更为重要，像苹果这样的需求大厂为了保证货源都采用预签协议的方式订购，而Spansion在制造方面的实力较为薄弱，直到2005年9月份才开始转向90纳米工艺(晶圆尺寸仍然维持在8英寸规格)，而全部的工艺转换完成必须花费整整一年时间。为解决产能问题，Spansion与台湾省半导体大厂台积电(TSMC)进行合作，由后者为Spansion生产110纳米MirrorBit产品，而Spansion自己的晶圆厂则开足马力制造90纳米的ORNAND和高密度MirrorBit闪存，以满足市场的旺盛需求。

　　图8 MirrorBit闪存的逻辑结构示意，一个浮动栅中拥有两个信息位。

　　前瞻：无限广阔的市场前景

　　在旺盛需求的带动下，闪存业一直保持超高增长速度，市场规模急剧扩大。显而易见，诸如数码相机、音乐播放器、娱乐手机、数字电视等等消费电子产品在未来必然将越来越普及，闪存将拥有无限想象的市场空间。为了提高竞争力，各大半导体厂商都会尽一切努力进行新技术的研发，开发出高速度、大容量、高可靠性以及低功耗、低成本的产品成为各个厂商的共同目标，NAND与NOR的融合也被业界普遍认为是未来的趋势。很明显，三星公司和Spansion公司将在这一领域占据主动。而在市场推广方面，三星的OneNAND已走在前面。OneNAND闪存在2004年投入量产到现在，已经获得市场的充分认可。三星公司每个月向各手机制造商出货300万单位的OneNAND闪存芯片，发展势头非常迅猛，这不可避免对NOR闪存厂商带来不小的竞争压力。Spasnsion虽然动作滞后，但在今年实现ORNAND闪存量产之后，同样有望开辟一片新天地，将战火烧到NAND的头上。然而，这仅仅只是开始，OneNAND、ORNAND给闪存业带来何种变革现在言之过早，但对任何一个闪存企业来说，如果不积极开发新技术、提高产品的竞争力，恐怕将很难在激烈的竞争中立足。

　　图9 Spansion出品的512Mb NOR闪存，在容量上领先于竞争对手。

　　不过，由于手机市场起步较早(1999年开始全球流行)、整体规模很大，NOR闪存也就长期居于主导地位，出货量占据闪存整体份额的60%以上；NAND闪存虽然应用领域更为广泛，但受累于数码产品的用户群较小，整体规模反而不如NOR闪存。然而，近两年此种格局悄悄发生了逆转：应用的成熟与价格平民化让数码相机、音乐播放器、移动存储器快速向主流人群普及，大容量NAND闪存的需求也因此极其强劲，受益于此，NAND闪存市场一直呈现高速增长态势。但与之形成鲜明对比的是，手机产品从2004下半年开始就陷入相对低迷状态，致使NOR闪存需求的增速减缓。此消彼涨，NAND闪存的市场规模在2005年最终超过NOR成为闪存家族中的主力军，而掌上电子产品的功能日趋强大，对大存储容量的要求如饥似渴，业界普遍认为NAND的发展潜力将远高于NOR型闪存，并将击败后者成为闪存家族中的绝对主导。

　　然而，NAND闪存要完全替代NOR闪存并不现实，虽然它的容量远大于NOR，但NAND低速、不够可靠、无法支持代码本地执行的先天缺陷一直难以克服。如果在手机、掌上电脑产品中只采用NAND，将会出现系统启动速度慢、较容易死机的严重问题，也正因为如此，NOR的地位依然十分稳固。而许多设备厂商为了在自己的产品中提供较强的数据存储功能，往往采用同时集成NOR(用于运行本地程序)、RAM(用于装载程序运行的数据)以及NAND(用于个人数据的存放)三种不同类型的存储器件，但此种方案不仅设计复杂，产品的成本也比较高，不利于推广。至于闪存厂商对NAND、NOR之间的壁垒也甚为不满，多数闪存厂商都希望自己的产品能够满足全方位的需求，以此获取更大的市场份额。开发两者相融合的新型闪存技术就成为业界共识，在这方面，三星与Spansion走在前面。以NAND业务为主的三星公司在2003年提出OneNAND技术方案，兼顾NAND高容量和NOR快速等优点，希望籍此从NOR闪存厂商手中抢夺市场份额；而只有NOR业务的Spansion(AMD与富士通闪存业务的合资公司，NOR闪存的第二大厂)也在2004年提出功能类似的ORNAND技术，希望能够从NAND市场的高增长中分享成果。这样，新一代闪存市场将形成三星OneNAND与Spansion ORNAND对垒的局面。尽管这两项技术提出已久，但在近两年来它们一直都有新的技术发展，OEM市场也从2005年下半年开始逐步接受，业界认为这两者有希望与传统的NAND、NOR共存，成为闪存家族的又一大主力，这也是我们直到现在才介绍这两项技术的主要理由。

　　闪存的一些基本概念

　　在介绍OneNAND和ORNAND之前，我们非常有必要对NAND、NOR闪存的技术差异和应用作进一步的探讨。

　　NAND、NOR闪存的基本原理

　　无论NAND还是NOR，都是闪存(Flash Memory)家族中的成员，两者在基本的数据存储方式和操作机理上都完全相同。闪存以单晶体管作为二进制信号的存储单元，它的结构与普通的半导体晶体管(场效应管)非常类似，区别在于闪存的晶体管加入了“浮动栅(floating gate)”和“控制栅(Control gate)”—前者用于贮存电子，表面被一层硅氧化物绝缘体所包覆，并通过电容与控制栅相耦合。当负电子在控制栅的作用下被注入到浮动栅中时，该NAND单晶体管的存储状态就由1变成0。相对来说，当负电子从浮动栅中移走后，存储状态就由0变成1；而包覆在浮动栅表面的绝缘体的作用就是将内部的电子“困住”，达到保存数据的目的。如果要写入数据，就必须将浮动栅中的负电子全部移走，令目标存储区域都处于1状态，这样只有遇到数据0时才发生写入动作—但这个过程需要耗费不短的时间，导致不管是NAND还是NOR型闪存，其写入速度总是慢于数据读取的速度。

　　虽然基本原理相同，但闪存可以有不同的电荷生成与存储方案。其中应用最广泛的是“通道热电子编程(Channel Hot Electron，CHE)”，该方法通过对控制栅施加高电压，使传导电子在电场的作用下突破绝缘体的屏障进入到浮动栅内部，反之亦然，以此来完成写入或者抹除动作；另一种方法被称为“Fowler-Nordheim(FN)隧道效应法”，它是直接在绝缘层两侧施加高电压形成高强度电场，帮助电子穿越氧化层通道进出浮动栅。NOR闪存同时使用上述两种方法，CHE用于数据写入，支持单字节或单字编程；FN法则用于擦除，但NOR不能单字节擦除，必须以块为单位或对整片区域执行擦除操作，由于擦除和编程速度慢、块尺寸也较大，使得NOR闪存在擦除和编程操作中所花费的时间很长，无法胜任纯数据存储和文件存储之类的应用，但它的优点是可支持代码本地直接运行；其次，NOR闪存采用随机存储方式，设备可以直接存取任意区域的数据，因此NOR闪存底部有大量的信号引脚，且每个单晶体管都需要辅助读写的逻辑，晶体管利用效率较低、容量不占优势。而NAND闪存采用FN法写入和擦除，且采用一种“页面-块”寻址的统一存储方式，单晶体管的结构相对简单，存储密度较高，擦除动作很快，但缺陷在于读出性能平平且不支持代码本地执行。另一个不可忽视的地方在于，NAND闪存很容易出现坏块，制造商通过虚拟映射的方式将其屏蔽，这一点很类似于硬盘。

　　目前，NOR阵营的厂商主要有英特尔与Spansion，后者为AMD与富士通闪存部门合并成立的新企业，英特尔目前的市场份额稍高，而Spansion则在技术上具有一定的优势，该公司在2005年10月份推出1Gb容量的NOR闪存，创下NOR的最高容量记录。NAND领域的半导体厂商主要包括三星、现代(Hynix)、东芝、美国IM快闪科技(英特尔与美光科技近日成立的合资公司)等，其中三星占据的份额超过50%，居绝对的领先地位，该公司在2005年9月份推出16Gb密度的NAND闪存，但要等到今年下半年才有机会进入实质性的量产阶段。

　　图1 Flash闪存的基本存储单元(Cell)结构示意

　　OEM厂商采用的应用方案

　　NOR与NAND的不同特性决定了两者不可能取代对方。在NAND虎视眈眈的手机领域，各厂商传统上只有NOR+RAM、NOR+NAND+RAM两种组合模式，它们都是采用NOR作为程序存储及执行的器件，RAM则用于存放运行过程中要用到的数据。由于NOR可以直接执行代码，无需动用RAM资源，使得对应的手机产品具有启动速度快、操作反应灵敏、功耗低等优点。其中，NOR+RAM多见于欧美品牌、注重商务功能的手机产品中，而NOR+NAND+RAM方案多出了NAND闪存作为图像、音频、个人数据的存储器件，多见于日系品牌的高端手机和音乐手机产品中。由于娱乐型手机发展前景看好，控制芯片厂商也普遍在新一代产品中集成了NAND控制功能，这对于NAND的应用非常有助益。

　　然而，NAND阵营显然不满足于此，为了全盘取代NOR，NAND阵营的半导体厂商一直在鼓吹NAND+RAM方案，它的组成架构非常类似于电脑中的硬盘和内存。NAND用于存储系统程序，采用“代码映射(ode shadowing)”技术运行，也就是代码和数据都必须载入到RAM后方可执行。此种架构乍看起来似乎没什么问题，但代码映射架构要求在NAND和RAM之间进行大量的代码复制工作，性能无法得到保证，且代码映射带来的高功耗也是一个大问题。采用此种架构的手机产品普遍存在开机短暂暗屏(代码载入时手机不可操作)、系统操作反应迟滞、电池使用时间不够长等弊病，加之NAND一旦出现坏区，系统就有可能出现运行故障，用户自身又很难修复。尽管NAND阵营的支持者一直强调NAND在容量和写入速度方面的优势，但在上述问题得到最终克服之前，手机厂商显然不怎么乐意采用这样的方案，这也是NAND阵营在进入手机市场方面一直雷声大、雨点小的主要缘由。而对三星公司来说，传统型NAND既然无力直接取代NOR，寄希望给OneNAND再自然不过，而事实上，OneNAND也具有这样的潜力。

三星OneNAND技术

　　OneNAND结合了NAND存储密度高、写入速度快和NOR读取速度快的优点，整体性能完全超越常规的NAND和NOR。除了下一代移动电话外，OneNAND面向的市场还包括数字电视、嵌入式设备、数码相机、便携GPS设备等等，不过三星并不是希望它快速取代传统的NAND，而是将其作为NOR的竞争者。在具体实现上，OneNAND其实并不复杂，三星并不是采用另起炉灶的方式来设计它，而是巧妙地将NAND与NOR的结构融为一体。OneNAND采用NAND逻辑结构的存储内核和NOR的控制接口，并直接在系统内整合一定容量SRAM静态随即存储器作为高速缓冲区。这样，OneNAND就可以在容量指标上与NAND闪存靠拢，目前它的最高密度指标达到4Gb，虽然在容量上略不如NAND但比NOR闪存要高出许多。为满足不同层次的需求，三星还推出包括512Mb、1Gb和2Gb的多种容量供选择。

　　图2三星OneNAND闪存的逻辑构成

　　OneNAND的特点

　　NAND内核并不具备本地执行代码(XIP)的能力，但这项功能对各种需要快速程序运行终端设备来说非常重要。三星作出的解决办法就是依靠高速SRAM缓存—在存储器家族中，SRAM(静态随机存储器)的读写速度最快，CPU内的L1 Cache和L2 Cache采用的就是SRAM逻辑，可具备与CPU等速运行的能力。当OneNAND执行程序时，代码必须从OneNAND存储核心载入到SRAM，然后在SRAM上执行。由于SRAM的速度优势，数据载入动作几乎可以在瞬间完成，用户感觉不到迟滞现象，加上SRAM被直接封装在OneNAND芯片内部，外界看起来就好像是OneNAND也具备程序的本地执行功能。这种工作模式非常巧妙，并可收到与NOR相同的效果，但缺点是SRAM逻辑的晶体管利用效率非常低，无法实现较大的容量，三星在OneNAND中只是集成1KB容量的SRAM，因此OneNAND暂时只支持1KB代码长度的XIP—在这方面，OneNAND显然还无法与NOR闪存相媲美。

　　不过，OneNAND的读写性能相当出众，三星最新的OneNAND产品拥有高达108MBps的数据读取带宽，这已达到与NOR闪存相当的水准—这个速度也远远超过了现在的7200转桌面硬盘。相比之下，常规NAND闪存的读取性能只有区区17MBps，两者存在巨大的性能差异。其次，OneNAND的数据写入速度达到9.3MBps，虽然远远不如108MBps的读取速度，但相比NAND闪存的6.8MBps也已经有长足的进步了。与之形成鲜明对比的是，NOR闪存的写入速度只有可怜的0.14MBps，几乎称得上是慢如蜗牛。在数据擦除方面，OneNAND与NAND的指标相同，都达到64MBps，而NOR闪存更只有区区0.11MBps，与前两者完全无法相比。从性能角度来看，OneNAND无论读、写还是擦除都明显凌驾于NAND之上，NOR在写入/擦除方面的性能与之根本不具可比性，对嵌入式设备厂商来说，选择简单的OneNAND来代替NOR+NAND组合的方案是非常可行的。

　　由于OneNAND采用与NAND相同的存储内核，它也会遭遇存储坏块的问题。如果只是用在数据存储，这个问题似乎没什么大不了，但OneNAND必须用于系统代码的装载和执行，一旦出现存储坏区且该区正在执行代码访问，造成的后果便是设备死机或者关机，这其实也是NAND进入NOR应用领域的主要障碍。为了解决这个难题，三星公司为OneNAND闪存量身定做了一款名为“Datalight OneBoot”的嵌入式控制软件。Datalight OneBoot具有高度灵活的特性，可被简单地整合到各种类型的嵌入式系统中。在实际运行时，OneBoot允许设备像使用硬盘一样来调用OneNAND资源，读写操作的具体算法由OneBoot在底层直接实现。而在关键的坏块管理上，OneBoot通过实时扫描、瞬间屏蔽的方式来隐藏坏块。扫描工作一般在系统闲置时进行，如果OneBoot检测到存储区的某处存在坏块，那么OneBoot就对该区域作上标注，将坏块屏蔽起来，这样代码运行或数据读写时就不会访问到这个区域，保证系统运行及个人数据存储的可靠性。这种机制非常有效，往往是坏块刚刚产生就被OneBoot检测到并屏蔽，没有什么机会被程序或用户所访问。因此尽管OneNAND仍在物理上具备类似NAND的不可靠性缺陷，但三星的OneBoot嵌入式控制软件在很大程度上可以将之消除，该套系统的可靠性完全可以同搭载NOR闪存的系统相媲美。为了让OneNAND能进入更多领域，三星还在OneBoot基础上发展出增强的“OneBoot+File”技术，后者除了具备OneBoot所有的功能特性外，还能够明显加快系统的启动速度。OneBoot+File的启动加速技术有些类似于计算机的“休眠”，它在运行时可以自动保存系统的工作状态，在下一次启动时直接从该状态恢复。三星表示，采用OneBoot+File控制软件，系统的启动速度可比常规方式快出88%，几乎是即开即用。鉴于掌上设备日趋复杂化，软件功能增加，启动时间也相应延长，而选择三星的OneNAND闪存与OneBoot+File控制软件方案可很好缓解这些问题，这在智能手机、掌上电脑、高性能数码相机等产品中尤其具有积极意义。

　　OneNAND的四套应用方案

　　为了让OneNAND可进入多个领域，三星总共提出了四套不同的OneNAND应用架构，分别针对手机、数码相机/数码摄像机、数字电视/数字机顶盒以及大容量的硬盘MP3播放器，下面我们将分别对此进行分析。

　　手机平台如前所述，现阶段手机一般采用NOR＋NAND＋RAM的方式，由于NOR必须装载系统软件，需要使用较大的容量。引入OneNAND闪存之后，手机厂商可以先选择NOR＋OneNAND＋RAM的混合模式，其中OneNAND可存放代码运行的中间数据，这样手机厂商就可以适当削减NOR闪存的容量以降低成本。等到时机成熟，手机厂商完全可以将NOR移除，构成由OneNAND+RAM的简单方案。在这套系统中，OneNAND闪存既可以承担系统程序运行职能，也将用于数据存储，由于结构简单，手机厂商可以实现产品的轻薄化并使成本得到有效控制。

　　数码相机/数码摄像机平台现有的数码相机/数码摄像机产品的存储系统一般由“NOR＋SDRAM＋NAND闪存卡”构成。NOR用于存放数码相机/摄像机的嵌入式程序，用户拍摄生成的照片或者视频则必须存储在专门的闪存卡中。如果厂商愿意选择OneNAND，那么该平台的存储架构将变成“OneNAND+SDRAM”——OneNAND具有较大的容量，可在一定程度承担起用户数据存储职能，厂商只要在产品设计一个闪存卡接口即可，如果用户有扩展容量的需要，可自行到市面上购买相应标准的闪存卡。对数码相机/摄像机厂商来说，采用OneNAND同样可以降低产品的制造成本，而用户也可具有更高的自主性，至少不必担忧自己购买大容量闪存卡之后，原先标配的小容量闪存卡就派不上用场。

　　数字电视/机顶盒平台该平台目前多采用NOR＋DDR SDRAM存储方案，NOR用于存储嵌入式系统，DDR内存则用于装载生成的数字电视图像。厂商可以直接用OneNAND闪存来代替NOR。由于OneNAND有较大的容量，读写速度快，可以存放诸如节目列表、节目记录以及用户截取的电视图像，厂商可以籍此提高产品的人性化功能，增强自身的竞争力。

　　硬盘MP3播放器iPod的全球流行引发MP3播放器的热潮，尤其是拥有大容量硬盘的产品更是受到广大用户的青睐。目前硬盘MP3播放器多采用“小容量NOR＋DRAM＋硬盘”的存储方案，NOR只能用于存放播放器的操作系统软件，而DRAM必须在暂存程序数据的同时，存放用户的音乐文件列表。由于DRAM无法在掉电状态下保存数据，因此为了保存用户的音乐文件列表就必须对DRAM作不断的刷新，且要求DRAM具有较高的容量。这些因素都将导致系统能耗提升，电池使用时间缩短。如果厂商以大容量的OneNAND来代替NOR，那么音乐文件列表就可以被存放在OneNAND闪存中，DRAM的工作负荷大大减轻，对容量要求也不那么严格，该部分的能耗就可被有效降低。三星详细列出这两种方案的能耗对比：在NOR＋DRAM的传统组合中，DRAM(512Mb)要求有200uA的电流供应，而在OneNAND+DRAM的新方案中，DRAM(只需64Mb)系统只要求90uA的电流，后者在整体上明显要更为节能。

　　图3 OneNAND取代NOR在手机平台中的应用

　　图4 OneNAND取代NOR在数码相机/摄像机平台中的应用

　　图5 OneNAND取代NOR在数字电视/机顶盒中的应用

　　图6 OneNAND取代NOR在硬盘MP3播放器中的应用

还好今天中午打开电视就看到的重播的。刚开始的第一轮。。。

哈哈。。。一边看，一边上网：）

      我现在从事的是研发部的Q&PTV工作，据现在了解，感觉不是很适合自己，可能是我还是舍不得我喜欢的WinCE这里吧（以前有空我还是要继续学习我的WinCE的，一定会的）如今刚毕业，没有什么经验，现在就从西门子这里开始吧，学习大公司的管理模式，工作方式……

     我要努力，要让自己喜欢上这里！要在这里学习，学习各种能学习的东西！！

刚开始看海选一下就被才华横溢的王铮亮吸引了。虽然他没有走的很远，但是有才华的人是不会被湮没的，今晚4进3他和吉杰配合表演了一曲，很棒！快男到现在更有味道了。开始对张杰没有太深刻的印象，但是今晚他和魏晨表现的都很好，进步很大，就像张远说的：我佩服你，你进步很大！潜力是激发出来的。如果有机会就要排出杂念，尽你的全力去做好。做好你自己的，就静静的等待吧。